AMD目前的GPU家族是火山島系列，上周爆出了下一代的海盜島R9 300系列，其中有百慕大、斐濟(jì)以及寶藏島三個(gè)核心，規(guī)格也非常驚人，流處理器單元從目前最高2816個(gè)提升到了4224個(gè)。如此大規(guī)模的提升背 后，AMD免不了要在GPU核心面積上做些妥協(xié)，以往堅(jiān)持的小核心策略可能就此改變，據(jù)說(shuō)“斐濟(jì)”GPU的核心面積都不會(huì)低于550mm2，可能是 600mm2。此外，海盜島家族還可能用上速度更快的HBM堆棧式內(nèi)存。

目前我們對(duì)海盜島家族GPU的架構(gòu)及規(guī)格尚無(wú)確切消息，特別是制程工藝及核心，此前的傳聞稱其使用TSMC的20nm工藝，但即便如此，運(yùn)算規(guī)模的大幅提升也不得不讓AMD在核心面積上作出妥協(xié)。3Dcenter上目前正在進(jìn)行熱切的討論，他們給出的分析認(rèn)為斐濟(jì)核心的面積都要超過(guò)550mm2，甚至可達(dá)600mm2，性能可達(dá)R9 295X2的水平。

AMD此前一直堅(jiān)持小核心策略，同代的GPU核心面積普遍都要低于NVIDIA的產(chǎn)品，Tahiti一代的核心面積是365mm2，雖然比GK104核心的294mm要高，不過(guò)要低于GK110核心的561mm2，即便是R9 290X的Hawaii核心也只有438mm2，還是沒(méi)有超過(guò)GK110的水平。如今隨著GPU規(guī)模的提升，AMD的GPU核心面積也不得不邁向更高的水平，不論是550還是600mm2，都達(dá)到甚至超過(guò)了GK110的水平。

當(dāng)然，這個(gè)分析也只是一家之言，也有人并不認(rèn)同AMD會(huì)走大核心路線，認(rèn)為大核心在制造難度及良率上都是問(wèn)題，不過(guò)NVIDIA的大核心GK110并沒(méi)有聽說(shuō)有良率問(wèn)題，AMD的大核心也不應(yīng)該有良率問(wèn)題。但無(wú)論哪種意見，海盜島GPU的核心規(guī)?？隙〞?huì)越來(lái)越大，核心面積提升是免不了的。

爭(zhēng)論更多的還有海盜島GPU的架構(gòu)及技術(shù)，此前的Tahiti、Hawaii核心架構(gòu)是GCN 1.0及GCN 1.1，海盜島屬于制程、架構(gòu)換代產(chǎn)品，會(huì)升級(jí)到GCN 2.0架構(gòu)。隨著計(jì)算性能的增強(qiáng)，GCN 2.0對(duì)帶寬的要求也會(huì)越來(lái)越高，海盜島有可能會(huì)用上AMD與Hynix等廠商聯(lián)合開發(fā)的HBM堆棧式內(nèi)存。

HBM內(nèi)存是堆棧式設(shè)計(jì)，支持多通道，帶寬大幅提升

HBM內(nèi)存的技術(shù)背景之前有過(guò)介紹，AMD聯(lián)合SK Hynix等廠商開發(fā)HBM內(nèi)存也很久了，通過(guò)TSV硅穿孔技術(shù)堆棧多個(gè)內(nèi)存通道，內(nèi)存帶寬及容量都有明顯提升，不僅可以用于內(nèi)存，也可以用于圖形及網(wǎng)格計(jì)算。相比GDDR5內(nèi)存，HBM可以提高65%的總體性能，而功耗則有40%的下降。

此前NVIDIA公布的帕斯卡架構(gòu)也會(huì)使用3D堆棧內(nèi)存，也是通過(guò)TSV硅穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)多通道內(nèi)存的封裝，內(nèi)存帶寬及容量因此提升，AMD新一代GPU架構(gòu)用上HBM內(nèi)存倒不是太意外，唯一的問(wèn)題就是3D堆棧內(nèi)存的技術(shù)成熟度，要形成類似GDDR5這樣的通用標(biāo)準(zhǔn)才有商業(yè)化的可能。

至于海盜島GPU的進(jìn)度，如果AMD真的打算使用TSMC的20nm工藝，并且在年底推出，那么現(xiàn)在差不多應(yīng)該是流片的時(shí)間了，特別是大核心GPU需要的時(shí)間更多，NVIDIA的GK110核心是2012年9月份首次用在專業(yè)卡上的，但是2012年1月份就流片了，這個(gè)進(jìn)度可以當(dāng)作參考。