三星2011年半導(dǎo)體資本支出92億美元 居全球業(yè)者之首
據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)繼2010年對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行達(dá)96億美元的大規(guī)模資本額投資后,2011年也將持續(xù)投資92億美元發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)。三星連續(xù)2年在半導(dǎo)體投資額排名居世界之冠。
三星2011年將優(yōu)先對(duì)華城廠16產(chǎn)線進(jìn)行投資建設(shè),此外為量產(chǎn)30奈米制程DRAM、20奈米制程快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)等,也將積極投資微細(xì)制程化作業(yè)。同時(shí)三星也將在美國(guó)德州奧斯汀設(shè)立系統(tǒng)半導(dǎo)體生產(chǎn)線,進(jìn)行資本額投資。
據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner統(tǒng)計(jì),三星2010年對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備投入96億美元資金,2011年也將大筆投入92億美元,投資規(guī)模居世界第1。排名第2位的英特爾(Intel) 2011年將投資50億美元,較2010年減少2億美元,而排名第3的臺(tái)積電2011年將投資49億美元,較2010年減少10億美元。
而2010年投資18.15億美元的東芝(Tosshiba),估計(jì)2011年將投資36.3億美元,在半導(dǎo)體資本額投資方面2010年排名第7,2011年將可望攀升至第4名。
海力士(Hynix) 2010年投資25億美元,排名第5,2011年約投資27.5億美元,排名將滑落至第6,并由GlobalFoundries以投資32億美元接下第5名位置。除此之外,華亞、美光(Micron)、聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)等投資排名2011年也將提升至7~10名。
Gatner世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2011年總投資金額較2010年的507億美元增加10.1%,達(dá)558億美元規(guī)模。