全球第一大DRAM制造商三星電子原來預(yù)期，在2006年第二季初80納米制程產(chǎn)品應(yīng)開始小量供貨。但為了避免旺季來臨時(shí)，因 80納米制程轉(zhuǎn)換遇到瓶頸而喪失市場(chǎng)，三星臨時(shí)更換投片策略，將先行挪出8英寸廠產(chǎn)能采用0.11微米制程來接替，待需求轉(zhuǎn)弱時(shí)再投入80納米制程量產(chǎn)；目前初步估計(jì)最快也要等到2007年第一季左右，80納米制程才有產(chǎn)品產(chǎn)出，但可預(yù)期的是，全球DRAM市場(chǎng)將因三星的錯(cuò)估制程轉(zhuǎn)換順暢度而大受影響。 

    據(jù)媒體報(bào)道，三星電子轉(zhuǎn)進(jìn)90納米制程時(shí)間已幾乎長(zhǎng)達(dá)1～2年，且制造良率相當(dāng)穩(wěn)定，因此認(rèn)為要進(jìn)入80納米制程并非難事，原本估計(jì)2006年4月就會(huì)有比90納米的C代產(chǎn)品更進(jìn)一步，采用80納米所制造的D代產(chǎn)品出現(xiàn)；不過，由于80納米并非如當(dāng)初想象容易，導(dǎo)致4月起迄今僅能采90納米制程投產(chǎn)DRAM。 

    但正因80納米出現(xiàn)瓶頸，因此導(dǎo)致這部分原本所估算新增產(chǎn)能，到現(xiàn)在遲遲無法開出，才會(huì)造成全球DRAM市場(chǎng)供貨持續(xù)處于吃緊狀態(tài)，而面對(duì)一連串市場(chǎng)需求旺季，三星立即做出決定，將改由8英寸廠重?fù)?dān)重任，先用舊的0.11微米制程于8英寸廠投產(chǎn)，而所生產(chǎn)商品則先稱之為D代商品，而接下來到80納米時(shí)所生產(chǎn)商品，才會(huì)稱之為E代DRAM產(chǎn)品。 

    三星當(dāng)前雖有12英寸晶圓廠，且也均已營(yíng)運(yùn)相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間，照理來說如將0.11微米制程用在12英寸廠應(yīng)無太大問題，但由于當(dāng)下12英寸廠大多已轉(zhuǎn)近90納米制程，且更重要的在于12英寸廠對(duì)于三星來說大多需生產(chǎn)較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無多余12英寸廠可用于投產(chǎn)80納米，因而才會(huì)選擇采用0.11微米制程投入8英寸廠量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，不過眾所皆知這應(yīng)僅是在此趕工時(shí)期的權(quán)宜之計(jì)。 

    DRAM廠指出，就連全球制程可說是領(lǐng)先群雄的三星，到了80納米制程似乎也有些許困難，也難怪其余DRAM廠在當(dāng)下無論是溝槽式（Trench）或堆棧式（Stack）的DRAM廠，在由90納米制程進(jìn)入到70納米制程時(shí)，也均遇上同樣問題，造成近來全球DRAM市場(chǎng)供貨會(huì)如此吃緊。