如何為電路設(shè)計選擇適合的IGBT
什么是IGBT?其工作原理是什么?為什么大家要選擇IGBT?它的優(yōu)勢是什么?一系列疑問的拋出,在3月5日第十五屆國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China2010)上,國際整流器公司(InternationalRectifier,簡稱IR)公司給出了最好的詮釋。
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。應(yīng)用于交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
IGBT是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。
并且,IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常的廣泛,不僅可以用于家電的驅(qū)動,如洗衣機、空調(diào)系統(tǒng)等;工業(yè)電機驅(qū)動;感應(yīng)加熱;正弦波逆變器;而且在照明,如高電壓氣體放電燈的應(yīng)用中也非常合適。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“我們一直以節(jié)約全球能源為己任,作為電源管理創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者,我們希望能夠與中國工程師分享我們的高能效電源管理解決方案,包括氮化鎵技術(shù)平臺。”
此外,IR在本次展會上還展示其最新的產(chǎn)品和平臺,包括氮化鎵功率器件平臺GaNpowIR。此外,還將展示最新推出的X-Phase和DirectFETMOSFET芯片組、SupIRBuck系列集成穩(wěn)壓器和用于AC-DC電源的SmartRectifierIC,以及用于電器的iMOTION集成設(shè)計平臺。其它一些展示產(chǎn)品還包括適合高可靠性應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器和模塊,以及適用于汽車、照明、D類音頻等各種不同領(lǐng)域的基準MOSFET、IGBT和高壓IC。