上周本站報道，三星電子稱已就新一代閃存芯片生產(chǎn)與西安簽署諒解備忘錄，一期投資多達70億美元，預(yù)計生產(chǎn)線將在明年年末正式啟動，預(yù)計每月芯片產(chǎn)能將達到10萬片。

這一新工廠將使用10納米級別的工藝。10納米級技術(shù)是三星計劃在今年投入使用的最新技術(shù)，業(yè)界人士稱，如采用10納米級制造工藝，使用同等材料生產(chǎn)閃存芯片，產(chǎn)量比起20納米級技術(shù)增加約一倍以上。

對于三星來說，來華投資建廠是一次風險不小的嘗試。三星曾十分擔心在海外建設(shè)高科技生產(chǎn)線存在技術(shù)外泄的風險，過去一直沒有在韓國和美國以外地區(qū)建立高科技生產(chǎn)廠。在此之前，三星僅在美國得克薩斯州奧斯丁市設(shè)立過一家芯片生產(chǎn)廠。

根據(jù)市研機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)，中國市場去年所消費的NAND內(nèi)存芯片，占全球市場一半，規(guī)模達290億美元，是全球最大的芯片消費國。到2015年，中國市場份額將升至55%。

相比之下，三星的競爭對手海力士早在2004年就投資20億美元落戶無錫，該廠12英寸芯片產(chǎn)能已從初期月產(chǎn)1.8萬片提高到18萬片。

iSuppli半導(dǎo)體首席分析師顧文軍認為，在這個“快魚吃慢魚”的“比快”競爭時代，在中國建廠成了貼近市場、快速反應(yīng)，充分利用中國資源和市場的重要方式。（責編：龔飄梅）