包括ARM、IBM、Soitec、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、代工廠Globalfoundries ，以及研發(fā)機構(gòu)如CEA-Leti等，都共同在稍早前的SEMICON West大會上，共同商討FDSOI技術(shù)的前景。他們強調(diào)，為了在日益升高的設(shè)計復(fù)雜度和成本等挑戰(zhàn)壓力下，再推動新的行動技術(shù)發(fā)展，業(yè)界將需要“協(xié)同創(chuàng)新”。“我們比以往任何時刻都更需要同心協(xié)力，”IBM半導(dǎo)體研發(fā)中心副總裁Gary Patton說。

Patton接著表示，晶片制造商將成為SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的核心，基本上，這個聯(lián)盟的成員集結(jié)起來，就像是一個“虛擬IDM”，或是積體電路制造商。

要推動這種新晶片技術(shù)獲得成果，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的每一個部份都應(yīng)該出一份力，Globalfoundries設(shè)計方案副總裁Subramani Kengeri說。該公司上個月才宣布與ST展開基于FDSOI技術(shù)的28nm和20nm元件合作。

ST技術(shù)研究和開發(fā)部門副總裁Phillippe Magarshack 認為，要同時提高行動設(shè)備性能并降低功耗，正不斷帶來壓力。“合作是最高原則。任何公司都不能僅獨善其身了?！?/font>

ST的手機晶片合資企業(yè)ST-Ericsson在今年稍早宣布，將在下一代NovaThor 行動應(yīng)用處理器中采用平面FDSIO 技術(shù)。

Magarshack表示，ST下個月就將推出首款采用平面FDSOI技術(shù)的28nm晶片，并預(yù)計今年底開始出樣。

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在FDSOI 電晶體中，在源極和漏極之間形成的導(dǎo)電通道，被限制在閘極氧化層之下以及SOI 埋入式氧化層之上的超薄矽晶層中。/ 資料來源：ST-Ericsson

這種低功耗方法的支持者表示，能將智慧手機和平板電腦的電池壽命延長多達30%。法國晶片研發(fā)機構(gòu)CEA-Leti 握有FDSOI技術(shù)關(guān)鍵專利，該機構(gòu)也聲稱能提高最多20%的行動設(shè)備速度，相當于能為一款行動設(shè)備提供額外的4小時網(wǎng)路瀏覽時間。

制造和供應(yīng)鏈是關(guān)鍵

Leti 和IBM 的研究人員以及SOI晶圓供應(yīng)商Soitec 正共同開發(fā)FDSOI 技術(shù)。而與ST-Ericsson的合作則將為該技術(shù)提供一個可微縮到20nm及以下制程的開發(fā)平臺。

Leti的研究人員表示可在22nm節(jié)點達到更小的閘極長度，并因而減少了寄生效能。這將大幅提升性能，再加上使用種為背閘偏置(back-gate biasing)的技術(shù)，還可降低功耗，讓制造商在行動市場中為其產(chǎn)品提供“顯著的差異化”，ST的Magarshack說。

他進一步表示，ST正與Globalfoundries合作推動“FDSOI生態(tài)系統(tǒng)”。ARM公司的Ron Moore也指出??，下一步將再把該制程的低功耗優(yōu)勢擴展到伺服器和其他的行動基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。

Moore指出，目前的行動基礎(chǔ)設(shè)施大約是用一臺伺服器來支援600部智慧手機的使用。未來幾年內(nèi)，隨著可預(yù)見的智慧手機爆炸性成長趨勢，預(yù)計也將需要更多伺服器來支援，屆時，這些設(shè)備都會更需要低功耗特性和提升性能。

合作伙伴承認，他們與英特爾在下一代行動晶片領(lǐng)域的主要競爭，最終都將回歸到所能展示的FDSOI技術(shù)制造能力，以及能否為行動市場的設(shè)備制造商降低風險。FDSOI的支持者表示，英特爾的FinFET在該公司推出14nm節(jié)點前都不會進入量??產(chǎn)，而他們則已經(jīng)在28nm節(jié)點生產(chǎn)，并準備前進到20nm。

SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez堅稱“供應(yīng)鏈就快要成形，”他并表示在六至九個月內(nèi)就可提升到滿載生產(chǎn)。“我們不需要擔心FDSOI供應(yīng)鏈。”