IGBT絕緣柵雙極晶體管柵極過壓保護(hù)電路圖
IGBT的柵極過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。
2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。

為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示。此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。
IGBT的柵極過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。
2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。
為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示。此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。
要點(diǎn): 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實(shí)提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅(jiān)持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強(qiáng)核心競爭優(yōu)勢...
關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運(yùn)營商 數(shù)字經(jīng)濟(jì)