外延的MicroLED技術解析
現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈,處處可見LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。英國半導體器件公司Plessey的新專利技術通過擴展專有的GaN-on-Si工藝為新的顯示技術打開了大門。嵌入式技術開發(fā)商Plessey結(jié)合了增強現(xiàn)實和混合現(xiàn)實顯示器的microLED技術的至前沿技術,它擴展了其專有的GaN-on-Silicon工藝的功能,以實現(xiàn)在同一晶片的天然藍色和天然綠色發(fā)射。
Micro LED是新一代顯示技術,比現(xiàn)有的OLED技術亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。Plessey表示,microLED的潛力是眾所周知的,“但在大規(guī)模應用之前,仍然存在一些挑戰(zhàn)。”為了形成RGB microLED顯示器,典型的方法是使用拾取和放置工藝來轉(zhuǎn)移離散的R,G和B像素或使用本機藍色LED作為光源,以進行后續(xù)的顏色轉(zhuǎn)換,以轉(zhuǎn)換為紅色和綠色。
Plessey*的專利增長方法在同一晶片上同時創(chuàng)建了天然藍色和綠色發(fā)射層。兩種顏色的整體式形成大大簡化了顯示器的制造。綠色microLED具有高效率和窄光譜寬度,因此Plessey稱之為“與高性能Blue microLED配合工作的出色色域。”
藍色microLED和綠色microLED在同一硅基板上的單片集成可解決目前面臨的多個挑戰(zhàn)。在避免多個波長二極管結(jié)集成的方面,首先是金屬鎂從低層結(jié)擴散到上結(jié)的p型覆層的記憶效應。藍色和綠色microLED集成的另一個過程挑戰(zhàn)是在第二結(jié)的生長過程中*調(diào)整熱預算,以防止藍色有源區(qū)中的銦相分離。Plessey*設計了熱預算,以維持高亮度顯示應用所需的高效率(IQE),低缺陷率和高電導率。
藍綠色:同一晶片上的原生藍色和原生綠色發(fā)射層
獨特的光譜
GaN microLED形成過程中的*終操作是后生長處理,旨在去除氫原子,否則氫原子會損害p型層的導電性。第二結(jié)的存在使從被覆蓋的器件結(jié)構中除去氫而忽略標準的生長后活化處理的影響變得復雜。
Plessey的外延和*產(chǎn)品開發(fā)總監(jiān)Wei Sin Tan博士說:“我們的*突破具有巨大的意義,并將為在各種顯示應用領域進行創(chuàng)新打開大門。對于移動和大型顯示器,現(xiàn)在可以將高效的單個RGB元用于質(zhì)量傳遞和微型顯示器,這為通往難以捉摸的單個RGB元的超高分辨率microLED AR顯示器提供了一條途徑。這項新工藝為商用高性能microLED顯示器鋪平了道路,使microLED在顯示器中的大規(guī)模采用變得越來越接近現(xiàn)實。
我們的成就再次證明了Plessey的工程團隊具有領導microLED技術領域并為真正的問題提供真正創(chuàng)新解決方案的能力。”雖然LED在生活中處處可見,但是LED也還有一些不足需要我們的設計人員擁有更加專業(yè)的知識儲備,這樣才能設計出更加符合生活所需的產(chǎn)品。