1、本征半導體

純凈晶體結構的半導體我們稱之為本征半導體。常用的半導體材料有：硅和鍺。它們都是四價元素，原子結構的最外層軌道上有四個價電子，當把硅或鍺制成晶體時，它們是靠共價鍵的作用而緊密聯(lián)系在一起。

共價鍵中的一些價電子由于熱運動獲得一些能量，從而擺脫共價鍵的約束成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，我們稱這些空位為空穴，它帶正電。 在外電場作用下，自由電子產生定向移動，形成電子電流

一般來說，共價鍵中的價電子不完全象絕緣體中價電子所受束縛那樣強，如果能從外界獲得一定的能量(如光照、升溫、電磁場激發(fā)等)，一些價電子就可能掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子，將這種物理現象稱作為本征激發(fā)。

本征半導體中的自由電子和空穴總是成對出現，同時又不斷復合，在一定溫度下達到動態(tài)平衡，載流子便維持一定數目。溫度愈高，載流子數目愈多，導電性能也就愈好。所以，溫度對半導體器件性能的影響很大。

2 、摻雜半導體

相對而言，本征半導體中載流子數目極少，導電能力仍然很低。但如果在其中摻入微量的雜質，所形成的雜質半導體的導電性能將大大增強。由于摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為N型和P型兩大類。

型半導體中摻入的雜質為磷或其他五價元素，磷原子在取代原晶體結構中的原子并構成共價鍵時，多余的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子，于是半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子成為多數載流子，空穴則成為少數載流子。

P型半導體中摻入的雜質為硼或其他三價元素，硼原子在取代原晶體結構中的原子并構成共價鍵時，將因缺少一個價電子而形成一個空穴，于是半導體中的空穴數目大量增加，空穴成為多數載流子，而自由電子則成為少數載流子。