;;; 可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，簡稱SCR，也叫做晶體閘流管）是一種4層的PNPN半導體。其內部擁有3組PN結構造。如圖3. 84所示，對于PNPN結合的半導體來說，無論是將其左邊設為O極還是將其右邊設為0極，從任何一方看過去都有反向的PN結（截止狀態(tài)）存在。例如，左端接④極，則PiNi、P2 Nz的兩個結為正向，但NIP2成反向。結果，不管怎么樣在此情況下電流都是不可能導通的。
;;; 接下來我們試將Pi NIP2 N2的4層半導體的Pl層接上電池的O極、N：層接上e極后，再將另外一組電池的0極接到P。層、@極接到N。層上。結果，如圖3.85所示，電流導通整個元件。這是為什么呢？
;;; 首先，我們把PiNiPz N2的4層結構看作是由PINIP2層與NIP2 N2層復合而成的。即把它看作是由PNP型晶體管與NPN型晶體簪互相連接來處理。對于P2 N2來說，如圖3.85所示，加載的是正向電壓，發(fā)生電子、空穴的移動。此時，從N2區(qū)域穿過P2進入基極區(qū)域Ni中的電子，全部流入上層Pi NIP2晶體管的基極區(qū)域Ni。進入上層晶體管基極區(qū)域的電子促使上層發(fā)射極區(qū)域的空穴移動，進一步導致集電極區(qū)域Pl的空穴擴散。
;;; 通過上述動作的反復，則電流導通整個可控硅整流器。結果，對于PNPN層的兩端來說，原來無論加載什么方向的電壓都不能導通的半導體，通過對其中間的PN層賦予正向電壓，可以導通整個元件。
;;; 可控硅的Pl層的端子稱為陽極(A)，Nz層的端子稱為陰極(K)，P2層的端子稱為柵極(G)。換言之，可控硅是通過對柵極一陰極之間加載正向電壓，就可以導通陽極一陰極的具有開關作用的元件。