該電路采用50個BUZ23場效應晶體管并聯,管的阻斷電壓為100V.所需的控制功率極小,并且不會有二次擊穿和導通區(qū)段正溫度系數等現象產生。由于整個電路電流很大,故其中門極電阻、元件采用50個并聯的連接方式。
為了把負載回路導線電感中儲存的能量放掉,在漏-源極間接入由20個RC元件并聯的吸收回路。

該電路采用50個BUZ23場效應晶體管并聯,管的阻斷電壓為100V.所需的控制功率極小,并且不會有二次擊穿和導通區(qū)段正溫度系數等現象產生。由于整個電路電流很大,故其中門極電阻、元件采用50個并聯的連接方式。
為了把負載回路導線電感中儲存的能量放掉,在漏-源極間接入由20個RC元件并聯的吸收回路。