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[導讀]電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機驅(qū)動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小

電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機驅(qū)動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長。

驅(qū)動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現(xiàn)工具內(nèi)的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作??煽康牟僮骱捅Wo可延長使用壽命,有助于提高產(chǎn)品聲譽。

為在兩個方向上驅(qū)動BDC電機,您需要使用兩個半橋(四個金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET))組成一個全橋。要驅(qū)動三相BLDC電機,需要使用三個半橋(六個MOSFET)組成一個三相逆變器。

使用TI的采用堆疊管芯架構的CSD88584Q5DC 和CSD88599Q5DC電源模塊(小型無引線(SON),5mm&TImes;6mm封裝),您可通過兩個電源模塊和只帶三個電源模塊的三相BLDC電機在兩個方向驅(qū)動電機,如圖1所示。每個電源模塊連接兩個MOSFET(高側和低側MOSFET),組成一個半橋。

圖1:不同電機驅(qū)動拓撲中的功率塊MOSFET

我們來看看這些功率塊可帶給無繩工具電機驅(qū)動子系統(tǒng)設計的優(yōu)勢。

功率密度倍增

CSD885x功率塊中的雙重堆疊芯片技術使印刷電路板(PCB)面積達到了之前的兩倍,與分立MOSFET相比,PCB占地面積減少了50%。

與相同性能級別的分立MOSFET(5mm&TImes;6mm)相比,在同一封裝中集成兩個FET的功率塊可讓用于逆變器拓撲的三相PCB面積減少90 mm2(3 x 5mm-6mm)。MOSFET互連軌道將與在帶分立MOSFET的PCB中運行,而更高的工作電流也要求更寬的PCB軌跡,因此PCB尺寸的節(jié)省值實際上遠超90 mm2。大多數(shù)無繩電動工具應用至少使用四層PCB,銅厚度大于2盎司。因此,通過電源模塊節(jié)省PCB尺寸可大大節(jié)省PCB成本。

具有低寄生效應的清潔MOSFET開關

圖2所示為功率級PCB設計中由元件引線和非優(yōu)化布局引起的寄生電感和電容。這些PCB寄生效應會導致電壓振鈴,從而導致MOSFET上的電壓應力。

圖2:功率級半橋中的寄生電感和電容。

振鈴的原因之一是二極管反向恢復。由快速開關引起的高電流變化率可能導致高二極管反向恢復電流。反向恢復電流流經(jīng)寄生布局電感。由FET電容和寄生電感形成的諧振網(wǎng)絡引起相位節(jié)點振鈴,減少了電壓裕度并增加了器件的應力。圖3所示為由于電路寄生效應引起的具有分立MOSFET的相位節(jié)點電壓振鈴。

使用電源模塊時,具有連接兩個MOSFET的開關節(jié)點夾將高側和低側MOSFET之間的寄生電感保持在絕對最小值。在同一封裝中使用低側和高側FET可最大限度地減少PCB寄生,并減少相節(jié)點電壓振鈴。使用這些電源模塊有助于確保平滑的驅(qū)動MOSFET開關,即使在電流高達50A時也不會出現(xiàn)電壓過沖,如圖4所示。

圖3:具有分立MOSFET的相節(jié)點電壓振鈴和電壓過沖

圖4:帶有電源模塊的清潔相位節(jié)點切換波形

低PCB損耗,PCB寄生電阻降低

功率塊有助于減少PCB中高電流承載軌道的長度,從而減少軌道中的功率損耗。

讓我們了解分立FET的PCB軌道要求。頂部和底部分立MOSFET之間的PCB軌道連接導致PCB中的I2R損耗。圖5所示為將頂部和底部分立MOSFET并排連接時的銅軌道;這是可將電機繞組連輕松連接到PCB的常見布局之一。連接相位節(jié)點的銅面積的長度為寬度的兩倍(軌道寬度取決于電流,軌道寬度通常受電路板的外形尺寸限制)。或者,您可以上下排列頂側和底側分立MOSFET,保持在相位節(jié)點之間。但是由于需要提供將電機繞組連接到相位節(jié)點,您可能無法減少軌道長度,并且這種布置可能不適合所有應用。

若設計的PCB銅厚度為2oz(70μm),則連接圖5所示的相位節(jié)點的單層PCB軌道將具有約0.24mΩ的電阻。假設軌道存在于兩個PCB平面中,則等效PCB電阻為0.12mΩ。對于三相功率級,您有三個這樣的PCB軌道。您也可對直流電源輸入和返回軌道進行類似的分析。

電源模塊具有單個封裝中的頂側和底側MOSFET,以及通過封裝內(nèi)的金屬夾連接的相位節(jié)點,可優(yōu)化寄生電阻,并為布局提供靈活性,并可節(jié)省最小的0.5至1mΩ的總PCB電阻。

圖5:具有分立MOSFET的典型相位節(jié)點軌道長度

卓越的散熱性能,雙重冷卻

CSD885x電源模塊采用DualCool?封裝,可在封裝頂部實現(xiàn)散熱,從而將熱量從電路板上散開,提供出色的散熱性能,并提高在5mm&TImes;6mm封裝中的功率。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊規(guī)范,功率塊具有1.1°C/W的結到底殼體熱阻,和2.1°C/W的結到頂殼體的熱阻。您可優(yōu)化功率塊底殼的PCB或功率塊的頂蓋的散熱片的冷卻功能。圖6所示為在1kW,36V三相逆變器PCB(36mm×50mm)內(nèi)使用三個CSD88599Q5DC雙冷60V電源模塊測試的頂側公共散熱器(27mm×27mm×23mm)的結果,不帶任何氣流。在測試期間,散熱器和功率塊頂殼之間使用具有低熱阻抗

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