STM32L0芯片F(xiàn)LASH編程示例及提醒
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這里就STM32L053芯片的FLASH編程做個(gè)簡(jiǎn)單演示并做些提醒，以供有需要的人參考。 一般來(lái)講，FLASH編程主要包括擦除、代碼編程、Option字修改操作，關(guān)于Option編程下面不做介紹。STM32L0芯片的擦除除了支持全片擦除外，再就是支持頁(yè)擦除，每頁(yè)的大小為128Bytes，即32個(gè)字。編程可以按字或按半頁(yè)【64Bytes】編程。
單頁(yè)擦除、單字編程以及半頁(yè)編程的時(shí)間都是一樣的，大概3.2ms左右，這點(diǎn)在芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)上也明確出來(lái)了。
下面演示字編程、頁(yè)編程、頁(yè)擦除的操作。
這里我先以字編程模式寫5個(gè)字，然后以半頁(yè)編程模式對(duì)5個(gè)半頁(yè)進(jìn)行FLASH編程，并記錄二者所花的時(shí)間，看看字編程時(shí)間跟半頁(yè)編程的是否一致。
另外，在完成5個(gè)半頁(yè)編程之后，又進(jìn)行了頁(yè)擦除操作，擦除剛才已編程的5個(gè)半頁(yè)中的1頁(yè)，即最后應(yīng)只剩下3個(gè)半頁(yè)的內(nèi)容【注：對(duì)于STM32L0系列芯片，內(nèi)部FLASH被擦除后內(nèi)容為全0】。
下面代碼截圖是基于STM32Cube庫(kù)來(lái)組織的，主要涉及到字編程、半頁(yè)編程、頁(yè)擦除三個(gè)操作，對(duì)應(yīng)著綠色下劃線的3個(gè)庫(kù)函數(shù)。
另外，Period1和Period2分別來(lái)存放寫5個(gè)字和5個(gè)半頁(yè)的編程時(shí)間，并放在指定的FLASH位置。
編譯運(yùn)行后我們可以看到如下結(jié)果：
上面截圖是經(jīng)過(guò)運(yùn)行后芯片內(nèi)部的部分FLASH空間的內(nèi)容。5個(gè)紅色方框圍住的數(shù)據(jù)乃5個(gè)字編程后的結(jié)果，藍(lán)色方框內(nèi)的數(shù)據(jù)乃5次半頁(yè)編程后的結(jié)果，但最終只看到3個(gè)半頁(yè)的編程內(nèi)容，那是因?yàn)楹竺鎯蓚€(gè)半頁(yè)的內(nèi)容經(jīng)頁(yè)擦除操作后而消失了。
用來(lái)統(tǒng)計(jì)編程時(shí)間的定時(shí)器的計(jì)數(shù)頻率為1MHz，顯然Period1和Period2基本是相等的，將它們?cè)俪?/span>5后所得編程時(shí)間都是3.3ms的樣子。顯而易見(jiàn)，進(jìn)行批量代碼編程時(shí)采用半頁(yè)編程更高效。
前面說(shuō)了做半頁(yè)編程時(shí)其執(zhí)行代碼需放到RAM運(yùn)行，該代碼在STM32cube庫(kù)的這個(gè)文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。實(shí)現(xiàn)該操作對(duì)于不同的IDE在處理上稍有差異。這里基于ARM MDK進(jìn)行簡(jiǎn)單配置，劃分點(diǎn)RAM出來(lái)給它用。
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