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[導(dǎo)讀] 三星今日宣布,現(xiàn)已開始向客戶提供5nmFinFET芯片測試,這款芯片相較于其7nm芯片,特定面積的晶體管數(shù)量增加了25%,速度提高10%,耗能降低20%。 三星代工業(yè)務(wù)高級副總裁Shaw

三星今日宣布,現(xiàn)已開始向客戶提供5nmFinFET芯片測試,這款芯片相較于其7nm芯片,特定面積的晶體管數(shù)量增加了25%,速度提高10%,耗能降低20%。

三星代工業(yè)務(wù)高級副總裁Shawn Han表示,這款芯將于明年第二季度全面生產(chǎn)。新的芯片可以幫助三星為其自己的手機生產(chǎn)Exynos處理器,同時還能幫助高通和其他三星代工業(yè)務(wù)公司制造他們的芯片。

在5nm芯片的生產(chǎn)工藝中,三星還使用了極紫外光刻(EUV)技術(shù),在晶片蝕刻圖案的同時減少掩膜層,來提高保真度(電子設(shè)備輸出再現(xiàn)輸入信號的相似程度)。

一、三星的芯片研發(fā)進程從10nm到7nm再到5nm,是芯片改進的技術(shù)方向之一。

2018年10月,三星宣布生產(chǎn)7nm工藝,這項工藝是三星首個采用EUV技術(shù)的工藝節(jié)點,基于7nm工藝的芯片已于今年年初實現(xiàn)了量產(chǎn)。

三星預(yù)計于今年6月推出的Exynos 9825處理器就是采用了7nm EUV工藝制造,這款處理器預(yù)計將搭載于Galaxy Note 10旗艦機型,并于于今年下半年發(fā)布。

不過三星在7nm的落地上還是落后了一步,去年蘋果和華為就先后推出了7nm芯片A12和麒麟980,并搭載于蘋果的iPhone XS和旗艦機華為mate20系列。而三星去年發(fā)布的旗艦機S9搭載了10nm驍龍845芯片,Note9則搭了載10nm驍龍845或三星自家的Exynos 9810芯片。

其實,去年三星就在日本舉辦的三星鑄造論壇2018(Samsung Foundry Forum 2018,SFF)上宣布了5nm芯片的研發(fā)計劃,并預(yù)計將于今年年開始生產(chǎn)?,F(xiàn)在三星已經(jīng)初步完成了這項目標(biāo)。

三星表示,5nm的一個主要優(yōu)點是可以將所有7nm專利應(yīng)用到5nm中,可以極大的降低7nm客戶過渡到5nm的成本,能夠縮短他們5nm產(chǎn)品的開發(fā)時間。

此外,三星正在定制基于EUV的工藝節(jié)點的6nm芯片,他們的首款6nm芯片流片產(chǎn)品已經(jīng)提交給客戶進行測試。

二、5nm制程關(guān)鍵技術(shù)——極紫外光刻

▲三星位于于韓國華城的EUV生產(chǎn)線

三星和臺積電都在使用EUV制造技術(shù),這種技術(shù)使用更短更精確的光波長來蝕刻芯片晶圓上的圖案。EUV技術(shù)雖然已經(jīng)開發(fā)了多年,但由于采用它的費用和難度太高一直未能普及。5GAI等創(chuàng)新領(lǐng)域,將對基于EUV先進節(jié)點生產(chǎn)的芯片有很高的需求。

三星位于韓國華成的S3生產(chǎn)線正在生產(chǎn)基于EUV的工藝的芯片產(chǎn)品。

此外,三星還在華城部署了新的EUV生產(chǎn)線,該生產(chǎn)線預(yù)計將在2019年下半年完成,并從明年開始增產(chǎn)。

三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Charlie Bae 表示:“成功完成5nm開發(fā),我們已經(jīng)證明了我們在基于EUV的節(jié)點中的能力。為響應(yīng)客戶對先進工藝技術(shù)不斷增長的需求,區(qū)分下一代產(chǎn)品,我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)。”

三、三星、臺積電、英特爾的制程工藝競賽研發(fā)新的處理器制造技術(shù),需要不斷增加研究和設(shè)備的支出。這一經(jīng)濟現(xiàn)實使主要芯片處理器制造商的名單縮減到只剩三家: 三星、英特爾和臺積電。

臺積電和三星主要生產(chǎn)移動處理器,即手機處理器,而英特爾主要是生產(chǎn)自己的電腦處理器。

臺積電于本月初首先宣布了進入5nm試產(chǎn)階段,三星緊隨其后于今日宣布開始向客戶提供5nm芯片測試服務(wù)。

▲臺積電于今年進入5nm試產(chǎn)階段

由于芯片性能的側(cè)重點不同,所以芯片制造商需要判斷優(yōu)先考慮哪些特性。臺積電比三星在芯片的速度提升方面表現(xiàn)更佳,在本月早些時候曾表示,它已經(jīng)開始為客戶制造5nm芯片原型。與三星相比,這種芯片的速度可以提高15%,在特定表面積上的晶體管數(shù)量增加了80%,功耗方面臺積電沒有詳細說明。

英特爾雖然已經(jīng)掌握了能夠更緊湊的壓縮晶體管的技術(shù),但目前他們還在使用10nm技術(shù)制造芯片,他們宣布今年將開始使用一種名為Foveros的技術(shù)來堆疊芯片。

AI芯片創(chuàng)企Flex Logix首席執(zhí)行官、內(nèi)存芯片設(shè)計公司Rambus的前任負責(zé)人Geoff Tate表示,F(xiàn)overos技術(shù)的改進并不是英特爾獨有的,三星也一直在研究許多不同類型的程序包。

結(jié)語:芯片市場競爭激烈,5nm技術(shù)成為關(guān)鍵芯片產(chǎn)業(yè)作為高技術(shù)壁壘行業(yè),一直以來都在進行幾大廠商間的“內(nèi)部競爭”。目前,三星和臺積電都以宣布進入5nm生產(chǎn)階段,接下來將在5nm芯片市場展開激烈的競爭。

英特爾雖然在繼續(xù)使用10nm技術(shù)制造芯片,但其關(guān)注的主要領(lǐng)域還是為自己的電腦生產(chǎn)芯片,短時間內(nèi)不會與三星和臺積電產(chǎn)生正面交鋒。

每一次制程工藝的進步,都會帶來新技術(shù)的發(fā)展,體積更小、性能更強的5nm工藝或?qū)⒊蔀?G和AI領(lǐng)域的布局新方向。

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