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新 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 CDM 測試標(biāo)準(zhǔn)概覽

元件充電模式 (CDM) ESD 被認(rèn)為是代表ESD充電和快速放電的首要實際 ESD 模型,能夠恰如其分地表示當(dāng)今集成電路(IC)制造和裝配中使用的自動處理設(shè)備所發(fā)生的情況。到目前為止,在制造環(huán)境下的器件處理過程中,IC 的 ESD 損害的最大原因是來自充電器件事件,這一點已廣為人知。

充電器件模型路線圖

對 IC 中更高速 IO 的不斷增長的需求,以及單個封裝中集成更多功能的需要,推動封裝尺寸變大,因而維持 JEP1572, 3中討論的推薦目標(biāo) CDM 級別將是一個挑戰(zhàn)。還應(yīng)注意,雖然技術(shù)擴(kuò)展對目標(biāo)級別可能沒有直接影響(至少低至14 nm),但這些高級技術(shù)改進(jìn)了晶體管性能,進(jìn)而也能支持更高 IO 性能(傳輸速率),因此對 IO 設(shè)計人員而言,實現(xiàn)當(dāng)前目標(biāo)級別同樣變得很困難。由于不同測試儀的充電電阻不一致,已公布的 ESD 協(xié)會(ESDA)截止20204年路線圖建議,CDM 目標(biāo)級別將需要再次降低,如圖1所示。

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圖1.2010年及以后的充電器件模型靈敏度限值預(yù)測(版權(quán)所有©2016 EOS/ESD協(xié)會)

快速瀏覽圖1不會發(fā)現(xiàn) CDM 目標(biāo)級別有明顯變化,但進(jìn)一步查閱 ESDA 提供的數(shù)據(jù)(如圖2所示)可知,CDM ESD 目標(biāo)級別的分布預(yù)期會有重大變化。

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圖2.充電器件模型靈敏度分布組別前瞻(版權(quán)所有©2016 EOS/ESD協(xié)會)

為何討論此變化很重要?它指出了需要采用一致的方法來測試整個電子行業(yè)的 CDM,應(yīng)排除多種測試標(biāo)準(zhǔn)所帶來的一些不一致性,F(xiàn)在,確保制造業(yè)針對 ESDA 討論的 CDM 路線圖做好適當(dāng)準(zhǔn)備比以往任何時候都更重要。這種準(zhǔn)備的一個關(guān)鍵方面是確保制造業(yè)從各半導(dǎo)體制造商收到的關(guān)于器件 CDM 魯棒性水平的數(shù)據(jù)是一致的。對一個協(xié)調(diào)一致的 CDM 標(biāo)準(zhǔn)的需求從來沒有像現(xiàn)在這樣強(qiáng)烈。再加上持續(xù)不斷的技術(shù)進(jìn)步,IO 性能也會得到提高。這種對更高IO性能的需要(以及降低引腳電容的需要),迫使 IC 設(shè)計人員別無選擇,只能降低目標(biāo)級別,進(jìn)而需要更精密的測量(在ANSI/ESDA/JEDEC JS-002中有說明)。

新聯(lián)合標(biāo)準(zhǔn)

在 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002之前有四種現(xiàn)存標(biāo)準(zhǔn):傳統(tǒng)的 JEDEC (JESD22-C101)5、ESDA S5.3.16、AEC Q100-0117和EIAJ ED-4701/300-2標(biāo)準(zhǔn)8。ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(充電器件模型、器件級別)9代表了將這四種現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一為單一標(biāo)準(zhǔn)的一次重大努力。雖然所有這些標(biāo)準(zhǔn)都產(chǎn)生了有價值的信息,但多種標(biāo)準(zhǔn)的存在對行業(yè)不是好事。不同方法常常產(chǎn)生不同的通過級別,多種標(biāo)準(zhǔn)的存在要求制造商支持不同的測試方法,而有意義的信息并無增加。因此,以下兩點非常重要:IC 充電器件抑制能力的單一測量水平是廣為人知的,以確保 CDM ESD 設(shè)計策略得到正確實施; IC 的充電器件抑制能力同它將接觸到的制造環(huán)境中的ESD控制水平一致。

為了解決這個問題,2009年成立的 ESDA 和 JEDEC CDM 聯(lián)合工作小組(JWG)開發(fā)了 JS-002。此外,JWG 希望根據(jù)引入場感應(yīng) CDM (FICDM) 以來所獲得的經(jīng)驗教訓(xùn)對 FICDM 進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)10。最后,JWG 希望盡量減少對電子行業(yè)的沖擊。為了減少行業(yè)沖擊,工作小組決定,聯(lián)合標(biāo)準(zhǔn)不應(yīng)要求購買全新場感應(yīng)CDM 測試儀,并且通過/失敗水平應(yīng)盡可能與 JEDEC CDM 標(biāo)準(zhǔn)一致。JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)是使用最廣泛的 CDM 標(biāo)準(zhǔn),因此JS-002與當(dāng)前制造業(yè)對 CDM 的理解保持一致。 

雖然 JEDEC 和 ESDA 的測試方法非常相似,但兩種標(biāo)準(zhǔn)之間有一些不同之處需要化解。JS-002還試圖解決一些技術(shù)問題。一些最重要問題列示如下。

標(biāo)準(zhǔn)之間的差異

► 場板電介質(zhì)厚度

► 用于驗證系統(tǒng)的驗證模塊

► 示波器帶寬要求

► 波形驗證參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)問題

► 測量帶寬要求對 CDM 而言太慢

► 人為地讓 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)中的脈沖寬度很寬

為了達(dá)成目標(biāo)并實現(xiàn)統(tǒng)一,作出了如下硬件和測量選擇。在為期五年的文件編制過程中,工作小組進(jìn)行了大量測量才作出這些決定。

硬件選擇

► 使用 JEDEC 電介質(zhì)厚度

► 使用 JEDEC “硬幣”進(jìn)行波形驗證

► 禁止在放電路徑中使用鐵氧體

測量選擇

► 系統(tǒng)驗證/驗收需要最低6 GHz 帶寬的示波器

► 例行系統(tǒng)驗證允許使用1 GHz 示波器

盡量減少數(shù)據(jù)損壞并討論隱藏電壓調(diào)整

► 讓目標(biāo)峰值電流與現(xiàn)有 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)一致

► 指定與 JEDEC 壓力級別匹配的測試條件;對于 JS-002測試結(jié)果,指的是測試條件(TC);對于 JEDEC 和 AEC,指的是伏特(V)

► 對于 JS-002,調(diào)整場板電壓以提供與傳統(tǒng) JEDEC 峰值電流要求對應(yīng)的正確峰值電流

確保較大封裝完全充電

► 為確保較大封裝完全充電,引入了一個新的程序

下面說明這些改進(jìn)。

JS-002硬件選擇

JS-002 CDM 硬件平臺代表了 ESDA S5.3.1探針組件或測試頭放電探針同 JEDEC JESD22-C101驗證模塊和場板電介質(zhì)的結(jié)合。圖3所示為硬件對比。ESDA 探針組件的放電路徑中沒有特定鐵氧體。FICDM 測試儀制造商認(rèn)為,鐵氧體是必要的,增加鐵氧體可提高500 ps 的半峰全寬 (FWHH) 額定最小值,并將Ip2(第二波峰)降至第一波峰 Ip1的50%以下,從而滿足傳統(tǒng) JEDEC 要求。JS-002去掉了此鐵氧體,從而消除了放電中的這種限制因素,使得放電波形更準(zhǔn)確,高帶寬示波器在 Ip1時看到的振鈴現(xiàn)象不再存在。

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圖3.JEDEC和JS-002平臺硬件原理圖

圖4顯示了 ESDA 和 JEDEC CDM 標(biāo)準(zhǔn)驗證模塊的區(qū)別。ESDA 標(biāo)準(zhǔn)提供兩個電介質(zhì)厚度選項,并結(jié)合驗證模塊(第二個選項是模塊和場板之間有一層最多130 μm的額外塑料薄膜,用于測試帶金屬封裝蓋的器件)。JEDEC 驗證模塊/FR4電介質(zhì)代表一個單一小/大驗證模塊和電介質(zhì)選項,支持它的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)用戶要多得多。

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圖4.ESDA 和 JEDEC 驗證模塊比較 JS-002使用 JEDEC 模塊。

JS-002測量選擇

在JS-002標(biāo)準(zhǔn)制定的數(shù)據(jù)收集階段,CDM JWG 發(fā)現(xiàn)需要更高帶寬的示波器才能精確測量 CDM 波形。1 GHz 帶寬示波器未能捕捉到真正的第一峰值。圖5和圖6說明了這一點。

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圖5.大JEDEC 驗證模塊在500 V JEDEC 時與 JS-002 TC500在1 GHz 時的 CDM 波形

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圖6.大 JEDEC 驗證模塊在500 V JEDEC 時與JS-002 TC 500在6 GHz 時的 CDM 波形

例行波形檢查,例如每日或每周的檢查,仍可利用1 GHz 帶寬示波器進(jìn)行。然而,對不同實驗室測試站點的分析表明,高帶寬示波器能提供更好的站點間相關(guān)性。11例行檢查和季度檢查推薦使用高帶寬示波器。年度驗證或更換/修理測試儀硬件之后的驗證需要高帶寬示波器。

表1.JS-002波形數(shù)據(jù)記錄表示例,顯示了造成TC(測試條件)電壓的因素

表21.jpg

測試儀 CDM 電壓設(shè)置

CDM JWG 同時發(fā)現(xiàn),對于不同測試儀平臺,為了獲得符合先前 ESDA 和 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)測試波形,實際板電壓設(shè)置需要有相當(dāng)大的差異(例如,特定電壓設(shè)置為100 V 或更大)。這在任何標(biāo)準(zhǔn)中都沒有說明。JS-002唯一地確定了將第一峰值電流(以及測試條件所代表的電壓)縮放到 JEDEC 峰值電流水平所需的偏移或因數(shù)。JS-002附錄 G 對此有詳細(xì)說明。表1顯示了一個包含此特性的驗證數(shù)據(jù)實例。

在設(shè)定測試條件下確保超大器件完全充電

在 JS-002開發(fā)的數(shù)據(jù)收集階段還發(fā)現(xiàn)了一個與測試儀相關(guān)的問題:放電之前,某些測試系統(tǒng)未將大驗證模塊或器件完全充電到設(shè)定電壓。不同測試系統(tǒng)的大值場板充電電阻(位于充電電源和場板之間的串聯(lián)電阻)不一致,影響到場板電壓完全充電所需的延遲時間。結(jié)果,不同測試儀的第一峰值放電電流可能不同,影響CDM的通過/失敗分類,尤其是大器件。

因此,工作小組撰寫了詳實的附錄H(“確定適當(dāng)?shù)某潆娧舆t時間以確保大模塊或器件完全充電”),描述了用于確定器件完全充電所需延遲時間的程序。當(dāng)出現(xiàn)峰值電流飽和點(Ip基本保持穩(wěn)定,設(shè)置更長的延遲時間也不會使它改變)時,說明達(dá)到了適當(dāng)?shù)某潆娧舆t時間,如圖7所示。確定此延遲時間,確保放電之前,超大器件能夠完全充電到設(shè)定的測試條件。

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圖7.峰值電流與充電時間延遲關(guān)系圖示例,顯示了飽和點/充電時間延遲

電子行業(yè)逐步采用 JS-002

對于采用 ESDA S5.3.1 CDM 標(biāo)準(zhǔn)的公司,JS-002標(biāo)準(zhǔn)取代了 S5.3.1,應(yīng)將 S5.3.1廢棄。對于先前使用 JESD22-C101的公司,JEDEC 可靠性測試規(guī)范文件 JESD47(規(guī)定 JEDEC 電子元件的所有可靠性測試方法)最近進(jìn)行了更新,要求用 JS-002代替 JESD22-C101(2016年末)。JEDEC 會員公司轉(zhuǎn)換到 JS-002的過渡時期現(xiàn)已開始。很多公司(包括ADI和Intel)已經(jīng)對所有新產(chǎn)品利用 JS-002標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試。

國際電工委員會(IEC)最近批準(zhǔn)并更新了其 CDM 測試標(biāo)準(zhǔn) IS 60749-2812。此標(biāo)準(zhǔn)全盤納入 JS-002作為其指定測試標(biāo)準(zhǔn)。

汽車電子理事會(AEC)目前有一個 CDM 小組委員會,其正在更新 Q100-011(集成電路)和 Q101-005(無源器件)車用器件 CDM 標(biāo)準(zhǔn)文件以納入 JS-002,并結(jié)合 AEC 規(guī)定的測試使用條件。這些工作預(yù)計會在2017年底完成并獲批準(zhǔn)。

結(jié)語

觀察 ESDA 提供的 CDM ESD 路線圖,可知在更高IO性能的驅(qū)動下,CDM 目標(biāo)級別會繼續(xù)降低。制造業(yè)對器件級 CDM ESD 耐受電壓的認(rèn)知比以往任何時候都更重要,而來自不同 CDM ESD 標(biāo)準(zhǔn)的不一致產(chǎn)品 CDM 結(jié)果是無法傳達(dá)這一訊息的。ANSI/ESDA/JEDEC JS-002有機(jī)會成為第一個真正的適用于全行業(yè)的CDM 測試標(biāo)準(zhǔn)。消除 CDM 測試頭放電路徑中的電容,可顯著改善放電波形的質(zhì)量。引入高帶寬示波器用于驗證,提高到五個測試條件波形驗證級別,以及保證適當(dāng)?shù)某潆娧舆t時間——所有這些措施顯著降低了不同實驗室的測試結(jié)果差異,改善了站點間的可重復(fù)性。這對確保向制造業(yè)提供一致的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。電子行業(yè)接受 JS-002標(biāo)準(zhǔn)之后,將有能力更好地應(yīng)對前方的 ESD 控制挑戰(zhàn)。

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