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圖 2: 可靠的電纜放電保護(hù)

降低功耗

凌力爾特的第四代 PSE 和 PD 控制器與 IEEE 802.3at 規(guī)范完全兼容，而且 LTPoE++ 功率達(dá)到了 90W，同時(shí)通過使用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25Ω 檢測電阻減小了熱耗散。這對于大功率系統(tǒng)非常重要，在這些系統(tǒng)中散熱設(shè)計(jì)和功率損耗的成本非常高，對于功率受限的應(yīng)用也非常重要，這些應(yīng)用要求在功率預(yù)算內(nèi)盡可能提高工作功率。集成了 MOSFET 的 PSE 和 PD 控制器具有較高的 RDS(ON) 參數(shù)，由于在器件內(nèi)部散熱，因此，很難進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)。對一個(gè)端口的損害會導(dǎo)致整個(gè)芯片受損。

LT4275 (圖 3) 是市場上唯一能夠控制外部 MOSFET 的 PD 控制器，極大的降低了 PD 總熱耗，提高了功效，這對于較大功率應(yīng)用非常重要。這一創(chuàng)新的方法支持用戶調(diào)整 MOSFET 以滿足應(yīng)用的散熱和效率要求，支持使用 30mΩ 量級的低 RDS(ON) MOSFET。LT4275 能夠支持高達(dá) 90W 的功率。

一個(gè) TVS 和 100V 絕對最大端口引腳足以保護(hù)電纜放電事件。LT4275 工作在較寬的 -40°C 至 125°C 溫度范圍，具有過溫保護(hù)功能，在瞬時(shí)過載時(shí)保護(hù)器件。采用這一更強(qiáng)大的保護(hù)功能，很容易就可體驗(yàn)可靠的應(yīng)用。

圖 3: LTPoE++ PD 控制器使用外部 MOSFET 以提高了功效

LTPoE++ 是怎樣工作的

LTPoE++ 使用了 3 事件分級機(jī)制，在 PSE 和 PD 之間提供互識別信號，同時(shí)維持了與 IEEE 802.3at 標(biāo)準(zhǔn)的后向兼容。通過 PD 對 3 事件分級機(jī)制的響應(yīng)，LTPoE++ PSE 確定 PD 是 1 類 (PoE)、2 類 (PoE+)，還是 LTPoE++ 器件。LTPoE++ PSE 使用 3 事件分級機(jī)制導(dǎo)致 ICUT 和 ILIM 門限更新。PSE 使用 ICUT 門限監(jiān)控 PD 電流消耗。在嚴(yán)重的電流故障時(shí)，ILIM 用作硬電流限制，以保護(hù) PSE 電源供電。

在另一端，LTPoE++ PD 使用它收到的分級事件號，確定連接 1 類、2 類，還是 LTPoE++ PSE。如果 LTPoE++ PSE 測量到 PD 的第一個(gè)分級事件電流是 0 級、1 級、2 級，或者3 級，LTPoE++ PSE 把端口作為 1 類器件進(jìn)行供電。否則，如果在第一個(gè)分級事件中，識別到 4 級，LTPoE++ PSE 會繼續(xù) PoE+ 規(guī)范定義的第二個(gè)分級事件。這告訴 PD，它連接至 2 類或LTPoE++ PSE。沒有第二個(gè)分級事件表明了 PD 連接至 1 類 PSE，這限制為 1 類供電。

2 類 PD 物理層分級由 IEEE 定義為兩個(gè)連續(xù) 4 級結(jié)果。一個(gè)LTPoE++ PD 必須在第一和第二個(gè)分級事件中顯示兩個(gè)連續(xù) 4 級結(jié)果，使得 LTPoE++ PD 呈現(xiàn)為 2 類 PD 至 2 類 PSE。

在第一和第二個(gè)分級事件中，在有效的 4 級測量后，LTPoE++ PSE 會遷移到第三個(gè)分級事件上。兩次成功的 4 級測量后，進(jìn)行第三次分級事件。第三次分級事件必須轉(zhuǎn)換到不同于 4 級的其他級別，把 PD 識別為支持 LTPoE++。在第三個(gè)分級事件過程中，LTPoE++ PSE 認(rèn)為維持 4 級的 PD 是 2 類 PD。對于所有分級事件，IEEE 802.3at 標(biāo)準(zhǔn)要求兼容 2 類 PD 重復(fù) 4 級響應(yīng)。第三個(gè)分級事件告訴 LTPoE++ PD，它連接至 LTPoE++ PSE。表 1 顯示了各種 PD 功率的分級事件組合。